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中試控股技術(shù)研究院魯工為您講解:自動介損測量裝置
ZSDX-7000高壓介質(zhì)損耗測試裝置(CVT)
多重保護安全可靠儀器具備輸入電壓波動、高壓電流、輸出短路、電源故障、過壓、過流、溫度等多重保護措施,保證了儀器安全、可靠。
儀器還具備設(shè)置接地檢測功能,確保不接地設(shè)備不允許操作啟動測試。
參考標準:DL/T 962-2005,DL/T 474.3-2018
高壓介質(zhì)損耗測試裝置(CVT):測試高壓源由儀器內(nèi)部的逆變器產(chǎn)生,經(jīng)變壓器升壓后用于被試品測試。頻率可變?yōu)?0.0Hz、47.5Hz\52.5Hz、45.0Hz\55.0Hz、60.0Hz、57.5Hz\62.5Hz、55.0Hz\65.0Hz,采用數(shù)字陷波技術(shù),避開了工
頻電場對測試的干擾,從根本上解決了強電場干擾下準確測量的難題。同時適用于全部停電后用發(fā)電機供電檢測的場合。該儀器配以絕緣油杯加溫控裝置可測試絕緣油介質(zhì)損耗。
儀器特點:
? 超大液晶中文顯示
操作簡單,儀器配備了高端的全觸摸液晶顯示屏,超大全觸摸操作界面,每過程都非常清晰明了,操作人員不需要額外的專業(yè)培訓就能使用。輕
輕點擊一下就能完成整個過程的測量,是目前非常理想的智能型介損測量設(shè)備。
? 海量存儲數(shù)據(jù)
儀器內(nèi)部配備有日歷芯片和大容量存儲器,保存數(shù)據(jù)200組,能將檢測結(jié)果按時間順序保存,隨時可以查看歷史記錄,并可以打印輸出。
? 科學先進的數(shù)據(jù)管理
儀器數(shù)據(jù)可以通過U盤導出,可在任意一臺PC機查看和管理數(shù)據(jù)。
? 多種測試模式
儀器能夠分別使用內(nèi)高壓、內(nèi)標準、正接法、反接法、自激法等多種方式測試。
? CVT測試
該儀器可以測試全密封的CVT(電容式電壓互感器)C1、C2的介損和電容量。
? 不拆高壓引線測量CVT
儀器可在不拆除CVT高壓引線的情況下正確測量CVT的介質(zhì)損耗值和電容值。
? CVT反接屏蔽法測量C0
儀器可采用反接屏蔽法測量CVT上端C0的介質(zhì)損耗值和電容值。
? 高速采樣信號
儀器內(nèi)部的逆變器和采樣電路全部由數(shù)字化控制,輸出電壓連續(xù)可調(diào)。
? 多重保護安全可靠
儀器具備輸入電壓波動、高壓電流、輸出短路、電源故障、過壓、過流、溫度等多重保護措施,保證了儀器安全、可靠。儀器還具備設(shè)置接地檢
測功能,確保不接地設(shè)備不允許操作啟動測試。
三 主要技術(shù)參數(shù)
1使用條件 -15℃∽40℃ RH<80%
2抗干擾原理 變頻法
3電 源 AC 220V±10% 允許發(fā)電機
4高壓輸出 0.5KV∽10KV 每隔0.1kV
精 度 2%
最大電流 200mA
容 量 2000VA
5 自激電源 AC 0V∽50V/15A 單 頻 50.0HZ、60.0HZ
自動雙變頻
45.0HZ/55.0HZ 47.5HZ/52.5HZ
55.0HZ/65.0HZ 57.5HZ/62.5HZ
6分 辨 率 tgδ: 0.001% Cx: 0.001pF
7精 度 △tgδ:±(讀數(shù)*1.0%+0.040%)
△C x :±(讀數(shù)*1.0%+1.00PF)
8測量范圍 tgδ 無限制
C x 15pF < Cx < 300nF
10KV Cx < 60 nF
5KV Cx < 150 nF
1KV Cx < 300 nF
CVT測試 Cx < 300 nF
9外型尺寸(主機(mm) 350(L)×270(W)×315(H)
外型尺寸(附件)(mm) 350(L)×270(W)×160(H)
10存儲器大小 200 組 支持U盤數(shù)據(jù)存儲
11重量(主機) 22.55Kg
重量(附件箱) 5.25Kg
ZSDX-7000高壓介質(zhì)損耗測試裝置是發(fā)電廠、變電站等現(xiàn)場或?qū)嶒炇覝y試各種高壓電力設(shè)備介損正切值及電容量的高精度測試儀器。
儀器為一體化結(jié)構(gòu),內(nèi)置介損測試電橋,可變頻調(diào)壓電源,升壓變壓器和SF6 高穩(wěn)定度標準電容器。
介質(zhì)損耗因數(shù)偏大的原因及處理方法:
1瓷套表面受潮。瓷套表面電阻的大小直接影響tanδ的準確度,因為表面電阻與體積電阻并聯(lián)在一起,當電橋采用反接法測量時,會使tanδ值偏大。
解決方法是:
1)用電吹風、遠紅外等烘燥表面,或在日光下暴曬。
2)用揮發(fā)性強的液體清潔。
3)用憎水性涂料涂于瓷套表面。
2)電場干擾。干擾電流Id在被試品電流Ix的右側(cè),使tanδ測量結(jié)果大于實際值,此時應采用試驗電源移相法測量tanδ或使用帶抗干擾功能的介損儀。
3)被試品Cx接地回路接觸不良。當被試品Cx接地回路接觸不良時,會使tanδ值偏大,此時應改善被試品接地回路接觸情況。
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