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中試控股技術研究院魯工為您講解：介損電橋異頻測量裝置

ZSDX-8000高壓介質損耗測試裝置(CVT變比）

操作簡單，儀器配備了高端的全觸摸液晶顯示屏，超大全觸摸操作界面，每過程都非常清晰明了，操作人員不需要額外的專業培訓就能使用。輕
輕點擊一下就能完成整個過程的測量，是目前非常理想的智能型介損測量設備。

參考標準：DL/T 962-2005，DL/T 474.3-2018

高壓介質損耗測試裝置(CVT變比）：ZSDX-8000高壓介質損耗測試裝置是發電廠、變電站等現場或實驗室測試各種高壓電力設備介損正切值及電容量的高精度測試儀器。儀器為一體化
結構，內置介損測試電橋，可變頻調壓電源，升壓變壓器和SF6 高穩定度標準電容器。測試高壓源由儀器內部的逆變器產生，經變壓器升壓后用
于被試品測試。頻率可變為50.0Hz、47.5Hz\52.5Hz、45.0Hz\55.0Hz、60.0Hz、57.5Hz\62.5Hz、55.0Hz\65.0Hz，采用數字陷波技術，避開了工
頻電場對測試的干擾，從根本上解決了強電場干擾下準確測量的難題。同時適用于全部停電后用發電機供電檢測的場合。該儀器配以絕緣油杯加溫控裝置可測試絕緣油介質損耗。

技術參數
1 使用條件 -15℃∽40℃ RH＜80%
2 抗干擾原理 變頻法
3 電    源 AC 220V±10% 允許發電機
4 高壓輸出 0.5KV∽10KV 每隔0.1kV
精    度 2%
最大電流       200mA
容    量 2000VA
5 自激電源 AC 0V∽50V/15A 單  頻   50.0HZ、60.0HZ 
自動雙變頻
45.0HZ/55.0HZ   47.5HZ/52.5HZ 
55.0HZ/65.0HZ   57.5HZ/62.5HZ
6 分 辨 率 tgδ: 0.001% Cx: 0.001pF
7 精    度 △tgδ:±(讀數*1.0%+0.040%)
△C x :±(讀數*1.0%+1.00PF)
8 測量范圍 tgδ 無限制
C x 15pF ＜ Cx ＜ 300nF
10KV Cx ＜ 60  nF
 5KV Cx ＜ 150 nF
  1KV Cx ＜ 300 nF
CVT測試 Cx ＜ 300 nF
9 LCR測量范圍 電感L>20H（2kV）             電阻R>10KΩ（2kV）
LCR測量精度 1% 角度分辨率 0.01
10 CVT變比范圍 10∽10000
CVT變比精度 1% CVT變比分辨率 0.01
11 外型尺寸（主機(mm) 350（L）×270（W）×315（H）
外型尺寸(附件)(mm) 350（L）×270（W）×160（H）
12 存儲器大小 200 組 支持U盤數據存儲
13 重量（主機） 22.75Kg
重量（附件箱） 5.25Kg
參考接線
1、正接法 
(1)、內高壓—內標準—正接法（常規接線）
(2)、外高壓—內標準—正接法（外接高壓輸入小于12kV）
(3)、內高壓—外標準—正接法（必須設置外接標準容量）                         
(4)、外高壓—外標準—正接法（必須設置外標準容量）                                                                        
2、反接法
(1)、內高壓—內標準—反接法（常規接線）                                                          
(2)、外高壓—內標準—反接法（外接高壓輸入小于12kV                                                                            
(3)、內高壓—外標準—反接法（必須設置外標準容量）
(4)、外高壓—外標準—反接法（必須設置外標準容量）                                                                      
3、CVT測試
(1)、CVT分別測試（普通測試）
(2)、CVT同時測試（一次完成測試）
(3)、不拆高壓引線測試CVT電容值和介損測量模式：CVT自激法。電壓≤2kV 
(4)、反接屏蔽法測量CVT上端C0的電容值和介損測量模式：反接法。電壓≤2kV
4、CVT變比測試                             
5、正反同測
(1)、兩繞組變壓器CHG+CHL測試接線
 
(2)、兩繞組變壓器CLG+CLH測試接線
 
(3)、三繞組變壓器CHG+CHL測試接線（高壓線屏蔽接T繞組）
 
(4)、三繞組變壓器CLG+CLT測試接線（高壓線屏蔽接HV繞組）
 
(5)、三繞組變壓器CTG+CHT測試接線（高壓線屏蔽接LV繞組）
?正接法
   1.HV用紅色高壓線連試品高壓
   2.Cx用黑色測試線連試品低壓
   3.黑色測試線的屏蔽層連試品E
?反接法
   1.試品高壓接地
   2. HV用紅色高壓線連試品低壓         
   3.紅色高壓線的屏蔽層連試品E
   4.Cx懸空
   5.桶體已為高壓注意絕緣

中試控股電力講解測量介質損耗角正切值tg 有何意義？

介質損耗角正切值又稱介質損耗因數或簡稱介損。測量介質損耗因數是一項靈敏度很高的試驗項目，它可以發現電力設備絕緣整體受潮、劣化變質以及小體積被試設備貫通和未貫通的局部缺陷。例如：某臺變壓器的套管，正常tg 值為0.5％，而當受潮后tg 值為3.5％，兩個數據相差7倍；

而用測量絕緣電阻檢測，受潮前后的數值相差不大。由于測量介質損耗因數對反映上述缺陷具有較高的靈敏度，所以在電工制造及電力設備交接和預防性試驗中都得到了廣泛的應用。中試控股電力講解變壓器、發電機、斷路器等電氣設備的介損測試《規程》都作了規定。

U盤導出，可在任意一臺PC機上通過我公司專用軟件，查看和管理數據
不拆除CVT高壓引線的情況下正確測量CVT的介質損耗值和電容值
自激電源：AC 0V∽50V/15A 45HZ/55HZ 55HZ/65HZ 47.5HZ/52.5HZ 自動雙變頻

電力系統中運行著大量220kV電容式電流互感器，從其結構可知，某～次繞組與、般油浸紙電容式套管相似，相當于由10個電容量基本相等的電容元件串聯而成．由于其制造時密封不良，運行中易進水受潮。
    根據Q/CSG 10007-2004，要求測量一次對末電屏（一次繞組Li L2短路加壓，末電屏接介質損耗電橋Cx線，二次繞組短路與鐵芯等接地，即QSi型電橋正接線）或～次對末電屏，二次繞組（短路）及地（QS，型電橋反接線）的tgδ?，F場試驗表明，按上述兩種接線測量tgδ時，對發現互感器進水受潮缺陷并不靈敏。
    如能增加測量末電屏對二次繞組、鐵芯與外殼（地）的介質損耗因數tgδ，對發現進水受潮缺陷就比較有效?，F場測量時，可分別測量末電屏對二次繞組、末電屏對鐵芯、來電屏對地等各部分的絕緣電阻與介質損耗因數。測量時一次繞組Li與L。端子短接后接于Qsi型西林電橋屏蔽線E。這樣既可避免一次繞組對末電屏間絕緣電容量較大而介質損耗因數較小，被并聯側引起的測量值偏小，還可起到屏蔽外電場干擾作用。測量時按os,型電橋反接線，試驗電壓2kV。盡管試驗電壓較低，但由于被試部分電容量較大(約為1200N2500pF)，因此仍能滿足測量靈敏度與準確度的要求。

字形結構電流互感器介質損耗因數測量

目前，電力系統中運行著大量的35～110kV 8字形結構電流互感器。這種互感器運行中存在一個主要的問題是：由于頂部密封不良而進水受潮。因此正確測量電流互感器一次對二次及外殼的介質損耗因數對監視絕緣是否受潮或劣化非常重要。
    具體測量方法既可按os，型電橋正接線測量一次對二次繞組的tgδ，也可按oS．型電橋反接線測量，由于運行中互感器外殼已妥善接地，因此一般使用osi型電橋的反接線進行測量（即一次短接電橋C。線，二次短接外殼或地）。曾用此法測得一臺llOkV電流互感器，其一次對二次及外殼的tgδ為2.1%（20℃時），符合試驗標準要求。但在進行真空干燥處理時，明顯地發現內部存有水珠。這就表明，按此方法測量介質損耗因數對發現互感器進水受潮尚不可靠。

介質損耗角正切（tanδ）檢測

tanδ是在交流電壓下，絕緣介質中的有功電流Ir與無功電流IC的比值，即

在生產過程中，材料質量不合格或工藝不良，都會導致tanδ過大。在運行中，由于絕緣受潮、老化，tanδ會急劇增大，使絕緣溫度升高，甚至引起熱擊穿。因此tanδ試驗是一個很重要的試驗項目。

試驗方法

目前普遍使用高壓西林電橋，其原理如圖高壓西林電橋原理圖所示。

電橋平衡條件是

Z x Z 4=ZNZ3

電橋調平衡后

測量介質損耗時，電橋有兩種接線方式：正接法和反接法。正接法適用于試品不接地的情況；反接法適用于試品一端接地的場合。反接法時，橋體處于高電位，要求用絕緣手柄操作，或者將電橋和人員置于對地絕緣的屏蔽籠內。

保護電壓

圖寄生電容影響電橋回路中a、b兩點對高壓引線和對地都有寄生電容Cau、Cbu和Cav、Cbv，這會引起干擾電流，影響橋臂電流I1=I3，I2=I4的平衡條件，造成測量誤差。實際電橋中，橋體和引線裝有屏蔽，消除了Cau、Cbu的影響，增大了a、b兩點對地電容。在橋下結點v與地之間引入一幅值、相位可調的保護電壓E，迫使a、b兩點都處在地電位，可消除Ia0和Ib0的影響。常用的保護電壓接法如圖單屏蔽保護電壓接線圖所示。也可用雙屏蔽接法，如圖雙屏蔽接線所示。

雙屏蔽接線效果好，但要求電橋、標準電容器及引線都為雙屏蔽結構。

如果電橋額定電壓較低，而需要用于較高電壓的試驗時，原保護電壓幅值可能不夠，電橋將失調。改進方法之一，是把電阻R4減?。ㄈ?/span>10000/πΩ改為1000/πΩ）。