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中試控股技術研究院魯工為您講解：四通道介質損耗因數(tanδ)測量裝置

ZSDX-8000高壓介質損耗測試裝置(CVT變比）

操作簡單，儀器配備了高端的全觸摸液晶顯示屏，超大全觸摸操作界面，每過程都非常清晰明了，操作人員不需要額外的專業培訓就能使用。輕
輕點擊一下就能完成整個過程的測量，是目前非常理想的智能型介損測量設備。

參考標準：DL/T 962-2005，DL/T 474.3-2018

高壓介質損耗測試裝置(CVT變比）：ZSDX-8000高壓介質損耗測試裝置是發電廠、變電站等現場或實驗室測試各種高壓電力設備介損正切值及電容量的高精度測試儀器。儀器為一體化
結構，內置介損測試電橋，可變頻調壓電源，升壓變壓器和SF6 高穩定度標準電容器。測試高壓源由儀器內部的逆變器產生，經變壓器升壓后用
于被試品測試。頻率可變為50.0Hz、47.5Hz\52.5Hz、45.0Hz\55.0Hz、60.0Hz、57.5Hz\62.5Hz、55.0Hz\65.0Hz，采用數字陷波技術，避開了工
頻電場對測試的干擾，從根本上解決了強電場干擾下準確測量的難題。同時適用于全部停電后用發電機供電檢測的場合。該儀器配以絕緣油杯加溫控裝置可測試絕緣油介質損耗。

技術參數
1 使用條件 -15℃∽40℃ RH＜80%
2 抗干擾原理 變頻法
3 電    源 AC 220V±10% 允許發電機
4 高壓輸出 0.5KV∽10KV 每隔0.1kV
精    度 2%
最大電流       200mA
容    量 2000VA
5 自激電源 AC 0V∽50V/15A 單  頻   50.0HZ、60.0HZ 
自動雙變頻
45.0HZ/55.0HZ   47.5HZ/52.5HZ 
55.0HZ/65.0HZ   57.5HZ/62.5HZ
6 分 辨 率 tgδ: 0.001% Cx: 0.001pF
7 精    度 △tgδ:±(讀數*1.0%+0.040%)
△C x :±(讀數*1.0%+1.00PF)
8 測量范圍 tgδ 無限制
C x 15pF ＜ Cx ＜ 300nF
10KV Cx ＜ 60  nF
 5KV Cx ＜ 150 nF
  1KV Cx ＜ 300 nF
CVT測試 Cx ＜ 300 nF
9 LCR測量范圍 電感L>20H（2kV）             電阻R>10KΩ（2kV）
LCR測量精度 1% 角度分辨率 0.01
10 CVT變比范圍 10∽10000
CVT變比精度 1% CVT變比分辨率 0.01
11 外型尺寸（主機(mm) 350（L）×270（W）×315（H）
外型尺寸(附件)(mm) 350（L）×270（W）×160（H）
12 存儲器大小 200 組 支持U盤數據存儲
13 重量（主機） 22.75Kg
重量（附件箱） 5.25Kg
參考接線
1、正接法 
(1)、內高壓—內標準—正接法（常規接線）
(2)、外高壓—內標準—正接法（外接高壓輸入小于12kV）
(3)、內高壓—外標準—正接法（必須設置外接標準容量）                         
(4)、外高壓—外標準—正接法（必須設置外標準容量）                                                                        
2、反接法
(1)、內高壓—內標準—反接法（常規接線）                                                          
(2)、外高壓—內標準—反接法（外接高壓輸入小于12kV                                                                            
(3)、內高壓—外標準—反接法（必須設置外標準容量）
(4)、外高壓—外標準—反接法（必須設置外標準容量）                                                                      
3、CVT測試
(1)、CVT分別測試（普通測試）
(2)、CVT同時測試（一次完成測試）
(3)、不拆高壓引線測試CVT電容值和介損測量模式：CVT自激法。電壓≤2kV 
(4)、反接屏蔽法測量CVT上端C0的電容值和介損測量模式：反接法。電壓≤2kV
4、CVT變比測試                             
5、正反同測
(1)、兩繞組變壓器CHG+CHL測試接線
 
(2)、兩繞組變壓器CLG+CLH測試接線
 
(3)、三繞組變壓器CHG+CHL測試接線（高壓線屏蔽接T繞組）
 
(4)、三繞組變壓器CLG+CLT測試接線（高壓線屏蔽接HV繞組）
 
(5)、三繞組變壓器CTG+CHT測試接線（高壓線屏蔽接LV繞組）
?正接法
   1.HV用紅色高壓線連試品高壓
   2.Cx用黑色測試線連試品低壓
   3.黑色測試線的屏蔽層連試品E
?反接法
   1.試品高壓接地
   2. HV用紅色高壓線連試品低壓         
   3.紅色高壓線的屏蔽層連試品E
   4.Cx懸空
   5.桶體已為高壓注意絕緣

中試控股電力講解測量介質損耗角正切值tg 有何意義？

介質損耗角正切值又稱介質損耗因數或簡稱介損。測量介質損耗因數是一項靈敏度很高的試驗項目，它可以發現電力設備絕緣整體受潮、劣化變質以及小體積被試設備貫通和未貫通的局部缺陷。例如：某臺變壓器的套管，正常tg 值為0.5％，而當受潮后tg 值為3.5％，兩個數據相差7倍；

而用測量絕緣電阻檢測，受潮前后的數值相差不大。由于測量介質損耗因數對反映上述缺陷具有較高的靈敏度，所以在電工制造及電力設備交接和預防性試驗中都得到了廣泛的應用。中試控股電力講解變壓器、發電機、斷路器等電氣設備的介損測試《規程》都作了規定。

U盤導出，可在任意一臺PC機上通過我公司專用軟件，查看和管理數據
不拆除CVT高壓引線的情況下正確測量CVT的介質損耗值和電容值
自激電源：AC 0V∽50V/15A 45HZ/55HZ 55HZ/65HZ 47.5HZ/52.5HZ 自動雙變頻

在《電力設備預防性試驗規程》中對電機、電纜等絕緣，因為缺陷的集中性及體積較大，通常不做此項試驗；而對套管、電力變壓器、互感器、電容器等則做此項試驗。
    一、測量原理及方法
    介質損失角正切的測量方法：平衡測量法和角差測量法。
    平衡測量法為傳統的測量方法，即高壓西林電橋法。
    角差測量法，現代的數字式介損測量儀，采用變頻抗干擾、數字處理DSP和傅立葉變換數字濾波技術，操作簡單，精度高。
    1.用高壓西林電橋法測量tgδ
    (1)接線：正接線、反接線、對角線接線法
    正接線用于兩極對地絕緣的設備，用于試驗室或繞組間測 。
    反接線用于現場被試設備為一極接地的設備，要求電橋有足夠的絕緣。
    由于R3和C4處于高電位，為保證操作的安全應采取一定的措施。一個辦法是將電橋本體和操作者一起放在絕緣臺上或放在一個叫法拉第籠的金屬籠里對地絕緣起來，使操作者與R3、C4處于等電位。另一種辦法是人通過絕緣連桿去調節R3和C4?，F場試驗通常采用反接線試驗方法。
    對角線接線用于被試設備為一極接地的設備且電橋沒有足夠的絕緣。

 (2)電橋測試中的注意事項
    在電橋測試中，有些問題往往容易被忽視，使測量數據不能反映被試設備的真實情況，常被忽視的問題有：
    A.外界電場干擾的影響。在電壓等級較低(例如35kV電壓等級)的電氣設備tgδ測試中，容易忽視電場干擾的影響。
    B.高壓標準電容器的影響?，F場經常使用的BR-16型標準電容器，電容量為50pF，要求tgδ%＜0.1%。由于標準電容器經過一段時間存放、應用和運輸后，本身的質量在不斷變化，會受潮、生銹，如忽視了這些質量問題，同樣會影響測試的數據。
    C.試品電容量變化的影響。在用QS1型西林電橋測量電氣設備絕緣狀況時，往往重視 值，而容易忽視試品電容量的變化，由此而產生一些事故。
    D.消除表面泄漏的方法。當測量電氣設備絕緣的tgδ時，空氣相對濕度對其測量結果影響很大，當絕緣表面臟污，且又處于濕度較大的環境中時，表面泄漏電流增加，對其測量結果影響更大。
    采取其有效的方法，如電熱風法、瓷套表面瓷群涂擦法、化學去濕法等。
    E.測試電源的選擇。在現場測試中，有時會遇到試驗電壓與干擾電源不同步，用移相等方法也難以使電橋平衡的情況。
    F.電橋引線的影響：
    引線長度的影響。分析研究表明，在一般情況下，CX引線長度約為5～10m，其電容約為1500～3000pF；而CN引線約為1～1.5m，其電容約為300～500pF。當R4＝3184歐和R3較小時，對測量結果影響很小，但若進行小容量試品測試時，就會產生偏大的測量誤差。
    高壓引線與試品夾角的影響。測量小容量試品時，高壓引線與試品的雜散電容對測量的影響不可忽視。
    引線電暈的影響。高壓引線的直徑較細時，當試驗電壓超過一定數時，就可能產生電暈。例如若用一般的導線做高壓引線，當電壓超過50kV后，就會出現電暈現象。電暈損耗通過雜散電容將被計入被試品的tgδ內。嚴重影響測量結果，并可能導致誤判斷。
    引線接觸不良的影響。當QS1電橋高壓線或測量引出線與被試品接觸不良時，相當于被試支路串聯一個附加電阻。該電阻在交流電壓作用下會產生有功損耗并與被試品自身有功損耗疊加，使測量的介質損耗因數超過規定的限值，導致誤判斷。
    接線的影響。小電容(小于500pF)試品主要有電容型套管、3～110kV電容式電流互感器等。對這些試品采用QS1型電橋的正、反接線進行測量時，其介質損耗因數的測量結果是不同的。
    按正接線測量一次對二次或一次對二次及外殼(墊絕緣)的介質損耗因數，測量結果是實際被試品一次對二次及外殼絕緣的介質損耗因數。而一次和頂部周圍接地部分的電容和介質損耗因數均被屏蔽掉(電橋正接線測量時，接地點是電橋的屏蔽點)。
    由于正接地具有良好的抗電場干擾，測量誤差較小的特點，一般應以正接線測量結果作為分析判斷絕緣狀況的依據。